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> 锰掺杂对PMN-PZT 陶瓷介电性能的影响
锰掺杂对PMN-PZT 陶瓷介电性能的影响
锰掺杂对PMN-PZT 陶瓷介电性能的影响
资料类型:
PDF文件
关键词:
无机非金属材料
pmn-pzt
锰掺杂
介电性能
资料大小:
429K
所属学科:
分子表征
来源:
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
研究了锰掺杂对富锆PMN-PZT(铌镁酸铅-锆钛酸铅)陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释。实验结果表明:适量的锰掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,并能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的介电常数和介电损耗,在锰掺杂量为3.0%(原子分数)时,εr=197、tanδ=0.15%,作为用于红外热释电探测器的陶瓷材料具有良好的介电性能。
作者:
郭婷,姜胜林,张海波,林汝湛
上传时间:
2008-08-28 13:13:39
下载次数:
38
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